刘波博士 
研究员，博士生导师
纳米光电材料与微结构研究中心主任
信箱:liubo@mail.usts.edu.cn
地址: 逸夫楼-B251
教育：
PhD (材料学) 中国科学院上海光学精密机械研究所，师从中国科学院院士干福熹研究员，2003
MS (材料学) 中国科学院上海光学精密机械研究所，2000
BS (材料学) 齐鲁工业大学，1997
工作经历：
2019.12-至今 研究员（二级），亚洲十大信誉网赌网址排名纳米光电材料与微结构研究中心主任
2017.7-2019.12 研究员（三级），亚洲十大信誉网赌网址排名纳米光电材料与微结构研究中心主任
2014.1-2017.6 研究员（三级），中国科学院上海微系统与信息技术研究所
2009.1-2013.12 研究员（四级），博导，中国科学院上海微系统与信息技术研究所
2005.3-2008.12 副研究员，硕导，中国科学院上海微系统与信息技术研究所
2003.6-2005.3 博士后（微电子学与固体电子学），中国科学院上海微系统与信息技术研究所
奖励荣誉和学术兼职（选）：
[1] 2021年，中国神经科学学会会员
[2] 2021年，江苏省物理学会终身会员
[3] 2020年，江苏省双创人才（高校创新类）
[4] 2020年，中国电子学会高级会员
[5] 2019年，第一届上海市知识产权创新奖专利商标二等奖
[6] 2019年，上海市技术发明二等奖
[7] 2019年，亚洲十大信誉网赌网址排名学术委员会委员、科学研究专门委员会委员
[8] 2018年，江苏省第五期“333高层次人才培养工程”第二层次培养对象（中青年领军人才）
[9] 2017年，中国电子学会技术发明三等奖
[10] 2017年，第六届中国物理学会固体缺陷专业委员会委员
[11] 2016年，国家重点研发计划专家库-“纳米科技”重点专项核心入库专家
[12] 2013年，第五届中国物理学会固体缺陷专业委员会委员
[13] 2011年，入选上海市青年科技启明星二十周年典型宣传案例画册
[14] 2011年，中国科学院青年创新促进会会员
[15] 2009年，国家纳米重大科学研究计划（973）项目首席科学家
[16] 2009年，上海市青年科技启明星跟踪获得者
[17] 2008年，首届中国科学院卢嘉锡青年人才奖获得者
[18] 2008年，第四届中国物理学会固体缺陷专业委员会委员
[19] 2006年，上海市青年科技启明星获得者
主持科研和平台项目：
[1] 华为技术有限公司横向项目，2021.7-2022.7，100.34万
[2] 江苏省双创人才资助项目，2020.9-2023.8，50万
[3] 江苏省第五期“333高层次人才培养工程”第二层次培养对象资助科研项目，2020.7-2022.6，30万
[4] 江苏省高等学校自然科学研究重大项目，2019.9-2022.8，30万
[5] 苏州市重点实验室项目，2018.7-2021.6，60万（其中校配套30万）
[6] 亚洲十大信誉网赌网址排名高层次人才引进科研启动经费，2017.7-至今，1000万
[7] 中国科学院青年创新促进会资助项目，2012.1-2015.12，40万
[8] 国家纳米重大科学研究计划（973）项目，2010.1-2014.8，2912万
[9] 上海市青年科技启明星跟踪项目，2009.7-2011.6，20万
[10] 国家863重点项目课题子课题，2008.12-2010.12，1035.2万
[11] 国家863计划项目，2006. 12-2008. 12，300万
[12] 上海市科委“登山行动计划”项目研发基地配套专项项目，2006. 10-2008. 9，90万
[13] 上海市科学技术发展基金基础计划处重点项目，2005. 10-2007. 9，30万
[14] 上海市科学技术发展基金纳米技术专项项目，2003. 10-2005. 9，40万
授权发明专利（第一发明人）：
[1] 刘波等。一种相变存储单元及其制作方法，专利号：ZL 201510177956.3，申请日期：2015-4-15，授权公告日：2017-4-19
[2] 刘波等。包含三明治型电极的相变存储结构及其制备方法，专利号：ZL 201310370885.X，申请日期：2013-8-22，授权公告日：2016-7-6
[3] 刘波等。一种光电混合存储的相变存储器结构及其制备方法，专利号：ZL 201310534339.5，申请日期：2013-10-31，授权公告日：2016-6-1
[4] 刘波等。三明治型刀片状电极的相变存储结构及其制备方法，专利号：ZL 201310370735.9，申请日期：2013-8-22，授权公告日：2016-3-9
[5] 刘波等。相变存储单元及其制作方法，专利号：ZL 201110020727.2，申请日期：2011-1-18，授权公告日：2014-7-2
[6] 刘波等。包含夹层的相变存储器及制作方法，专利号：ZL 200910045870.X，申请日期：2009-1-23，授权公告日：2012-8-29
[7] 刘波等。用于相变存储器的加热电极材料及制备方法，专利号：ZL 200610023390.X，申请日期：2006-1-18，授权公告日：2011-7-20
[8] 刘波等。掺杂改性的相变材料及含该材料的相变存储器单元及其制备方法，专利号：ZL 200910053119.4，申请日期：2009-6-15，授权公告日：2011-2-16
[9] 刘波等。相变材料呈环形的相变存储器器件单元及制备方法，专利号：ZL 200710043924.X，申请日期：2007-7-17，授权公告日：2009-8-19
[10] 刘波等。一种纳米相变存储器器件单元的制备方法，专利号：ZL 200410053564.8，申请日期：2004-8-6，授权公告日：2008-6-25
[11] 刘波等。采用硫系化合物纳米材料制备相变存储器器件单元的方法，专利号：ZL 200510110783.X，申请日期：2005-11-25，授权公告日：2008-4-23
[12] 刘波等。一种相变微、纳电子存储器器件及制作方法，专利号：ZL 200410053752.0，申请日期：2004-8-13，授权公告日：2007-12-19
[13] 刘波等。可用于相变存储器多级存储的相变材料，专利号：ZL 200410067987.5，申请日期：2004-11-10，授权公告日：2007-7-11
研究成果与代表性论文（选）:
主要研究兴趣包括纳米光电材料与器件（信息存储材料与器件、新能源材料与器件、传感器材料与器件）。中国科学院上海微系统与信息技术研究所兼职研究员，齐鲁工业大学客座教授。负责和参与科研项目合计60余项，包括国家纳米重大科学研究计划（973）、国家863计划、国家自然科学基金、上海市、中国科学院和江苏省等科研项目，总经费超过3.3亿元。已发表期刊论文317篇（SCI论文230篇），H因子32，授权中国发明专利119项、美国发明专利5项，参与《Data Storage at the Nanoscale: Advances and Applications》、《中国材料工程大典》、《光子学技术与应用》、《相变存储器》和《大辞海》等五部著作的编写。指导研究生38名（博士16名、硕士22名）。入选国家重点研发计划重点专项评审（“纳米科技”领域）核心专家库，国家重点研发计划项目评审会评专家、长江讲座教授/长江特聘教授/青年长江评审专家、国家自然科学基金重点项目函评专家、上海市科委/经信委重大项目评审会评专家等。成功组织过三次国际信息存储会议和第十四届全国固体缺陷学术研讨会，新华社、人民网、文汇报、科技日报等媒体对会议进行了专门报道，反响巨大。在产业化方面亦取得了突出成就，研制的4Kb打印机用PCRAM芯片产品已获得1600万颗试用订单。
[1] Jing Hu*, Bo Liu*, et al. Journal of Alloys and Compounds, 2021, 892: 162243
[2] Miao Cheng*, Bo Liu*, et al. ACS Applied Energy Materials, 2021, 4(9): 9902-9912
[3] Bo Liu*, et al. Chinese Physics B, 2021, 30(5): 058504
[4] Tao Wei, Bo Liu*, et al. Materials Chemistry and Physics, 2021, 266: 124558
[5] Minchao Gu, Bo Liu, et al. Journal of Materials Chemistry C, 2020, 8: 1231-1238
[6] Tao Wei, Bo Liu*, et al. Thin Solid Film, 2020, 716: 138434
[7] Qing Wang, Bo Liu*, et al. Journal of Physical Chemistry C, 2019, 123(50): 30640-30648
[8] Wanchun Ren*, Bo Liu*, et al. Surface & Coatings Technology, 2018, 353: 309-315
[9] Luxin Wang, Bo Liu*, et al. Advanced Materials Interfaces, 2018, 5(10): 1701679
[10] Yaming Cao, Bo Liu, et al. Angewandte Chemie-International Edition, 2018, 57: 4543-4548
[11] Bin Zhang, Bo Liu, et al. Carbon, 2018, 134: 500-506
[12] Sai Sun, Bo Liu*, et al. Carbon, 2017, 116: 713-721
[13] Qing Wang, Bo Liu*, et al. ACS Applied Materials & Interfaces, 2016, 8(32): 20885-20893
[14] Juntao Li, Bo Liu*, et al. Applied Surface Science, 2016, 378: 163-166
[15] Sai Sun, Bo Liu*, et al. Chemistry–A European Journal, 2016, 22(7): 2247-2252
[16] Qing Wang, Bo Liu*, et al. Applied Physics Letters, 2015, 107(22): 222101
[17] Qing Wang, Bo Liu*, et al. Physica Status Solidi - Rapid Research Letters, 2015, 9(8): 470-474
[18] Zhitang Song, Bo Liu, et al. Nano-Micro Letters, 2015, 7(2): 172-176
[19] Bo Liu*. Data Storage at the Nanoscale: Advances and Applications, Chapter 11-Phase Change Random Access Memory, Pan Stanford Publishing Pte. Ltd., 2015.1, Singapore: 463-589
[20] Yan Liu, Bo Liu*, et al. IEEE Transactions on Electron Devices, 2014, 61(3): 682-687
[21] Aodong He, Bo Liu*, et al. Applied Surface Science, 2013, 283: 304-308
[22] Yan Liu, Bo Liu*, et al. IEEE Electron Device Letters, 2012, 33(8): 1192-1194
[23] Chao Zhang, Bo Liu, et al. IEEE Electron Device Letters, 2011, 32(8): 1014-1016
[24] Liangyong Wang, Bo Liu, et al. Journal of Electrochemical Society, 2010, 157(4): H470-H473
[25] Liangyong Wang, Bo Liu, et al. Journal of Electrochemical Society, 2009, 156(9): H699-H702
[26] Jie Shen, Bo Liu*, et al. Applied Surface Science, 2008, 254(15): 4638-4643
[27] Min Zhong, Bo Liu, et al. Journal of Electrochemical Society, 2008, 155(11): H929-H931
[28] Cheng Xu, Bo Liu, et al. Applied Physics Letters, 2008, 92: 062103
[29] Jialin Yu, Bo Liu, et al. Applied Surface Science, 2007, 253(14): 6125-6129
[30] Bo Liu*, et al. Microelectronic Engineering, 2005, 82(2): 168-174
[31] Bo Liu*, et al. Applied Surface Science, 2005, 242(1-2): 62-69
[32] Bo Liu*, et al. Material Science Engineering B, 2005, 119(2): 125-130
[33] Bo Liu*, et al. Thin Solid Films, 2005, 478(1-2): 49-55
[34] 刘波*等。相变型半导体存储器研究进展，物理，2005，34(4): 279-286
[35] Bo Liu*, et al. Semiconductor Science and Technology, 2004, 19(6): L61-L64
[36] Bo Liu *, et al. Chinese Physics, 2004, 13(11): 1947-1950
